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MOSFET : propriétés, préparations et performances par Noah T. Andre (anglais) Hardc

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Numéro de l'objet eBay :386903452871

Dernière mise à jour : juin 04, 2024 21:21:31 HAEAfficher toutes les modificationsAfficher toutes les modifications

Caractéristiques de l'objet

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ISBN-13: 9781604567625

Type: NA

Publication Name: NA

ISBN: 9781604567625

Book Title: Mosfets : Properties, Preparations and Performance

Publisher: NOVA Science Publishers, Incorporated

Item Length: 7.1 in

Publication Year: 2008

Format: Hardcover

Language: English

Illustrator: Yes

Author: Lucas M. Simon, Noah T. Andre

Genre: Technology & Engineering, Science

Topic: Electronics / Semiconductors, Chemistry / General

Item Weight: 38.4 Oz

Item Width: 10.2 in

Number of Pages: 454 Pages

À propos de ce produit

Product Information

The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a device used to amplify or switch electronic signals. It is by far the most common field-effect transistor in both digital and analog circuits. The MOSFET is composed of a channel of n-type or p-type semiconductor material, and is accordingly called an NMOSFET or a PMOSFET (also commonly nMOSFET, pMOSFET. The width of the channel, which determines how well the device conducts, is controlled by an electrode called the gate, separated from channel by a thin layer of oxide insulation. The insulation keeps current from flowing between the gate and channel. MOSFETs are useful for high-speed switching applications and also on integrated circuits in computers.

Product Identifiers

Publisher

NOVA Science Publishers, Incorporated

ISBN-10

1604567627

ISBN-13

9781604567625

eBay Product ID (ePID)

66979465

Product Key Features

Book Title

Mosfets : Properties, Preparations and Performance

Number of Pages

454 Pages

Language

English

Publication Year

2008

Topic

Electronics / Semiconductors, Chemistry / General

Illustrator

Yes

Genre

Technology & Engineering, Science

Author

Lucas M. Simon, Noah T. Andre

Format

Hardcover

Dimensions

Item Weight

38.4 Oz

Item Length

7.1 in

Item Width

10.2 in

Additional Product Features

Dewey Edition

Lccn

2008-023105

Dewey Decimal

621.3815/284

Lc Classification Number

Tk7871.95.M665 2008

Table of Content

Preface; Novel Device Concepts to Overcome MOSFET Limits; Efficient Parallel Monte Carlo Simulations Using Finite Element Tetrahedral Meshes for Novel Thin-Body MOSFET Architectures; Cryogenic Operation of Power MOSFETs; Redesign and Optimisation of Semiconductor Devices and Circuits; Thin and Ultra-Thin SiO2 Gate Oxide in Metal-Oxide-Semiconductor Structors Under Electrical Stresses: Reliability Predictions and Degradation Mechanism Models; Some Medical Applications of MOSFETs in Radiation Therapy: Surface Dose and Electron Backscatter Measurements with Monte Carlo Simulations; Surrounding-Gate MOSFETs for Transistor Scaling: Devices, Fabrication and Modelling; Quantum, Self Heating and Hot Electron Effects of Si-Based Double-Gate MOSFET and GaN-Based MOS-HFET ; Bulk FinFETs: Fabrication and Threshold Voltage ; Discussion on 1/f Noise in CMOS Transistors: Modelling- Simulation and Measurement Techniques; A Rigorous Analysis of the Parameters Which Govern the Silc in MOSFET's with Oxide Thickness in the 1-2 Nanometer Range; Analog and Digital Circuit Functionality Under the Influence of Gate Oxide Degradation and Breakdown; MOSFET's Programmable Conductance: The Way of VLSI Implementation for Emerging Applications from Biologically Plausible Neuromorphic Devices to Mobile Communications; Index.

2008

Description de l'objet du vendeur

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Numéro de l'objet eBay :386903452871

Dernière mise à jour : juin 04, 2024 21:21:31 HAEAfficher toutes les modificationsAfficher toutes les modifications

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