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Mémoire de poche résistive à accès aléatoire (RRAM) par Shimeng Yu (anglais)
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Dernière mise à jour : mai 19, 2024 00:25:33 HAEAfficher toutes les modificationsAfficher toutes les modifications
Caractéristiques de l'objet
- État
- ISBN-13
- 9783031009020
- Type
- NA
- Publication Name
- NA
- ISBN
- 9783031009020
- Book Title
- Resistive Random Access Memory (Rram)
- Item Length
- 9.3in
- Original Language
- English
- Publisher
- Springer International Publishing A&G
- Publication Year
- 2016
- Format
- Trade Paperback
- Language
- English
- Genre
- Technology & Engineering
- Topic
- General, Electronics / Circuits / General, Electrical
- Item Width
- 7.5in
- Item Weight
- 6.1 Oz
- Number of Pages
- VII, 71 Pages
À propos de ce produit
Product Information
RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments and the electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAM's potential novel applications beyond the NVM applications.
Product Identifiers
Publisher
Springer International Publishing A&G
ISBN-10
3031009029
ISBN-13
9783031009020
eBay Product ID (ePID)
23057283717
Product Key Features
Book Title
Resistive Random Access Memory (Rram)
Original Language
English
Format
Trade Paperback
Language
English
Topic
General, Electronics / Circuits / General, Electrical
Publication Year
2016
Genre
Technology & Engineering
Number of Pages
VII, 71 Pages
Dimensions
Item Length
9.3in
Item Width
7.5in
Item Weight
6.1 Oz
Additional Product Features
Number of Volumes
1 Vol.
Lc Classification Number
T1-995
Table of Content
Introduction to RRAM Technology.- RRAM Device Fabrication and Performances.- RRAM Characterization and Modeling.- RRAM Array Architecture.- Outlook for RRAM's Applications.- Bibliography.- Author Biography.
Copyright Date
2016
Series
Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies Ser.
Illustrated
Yes
Description de l'objet du vendeur
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Fairfield, Ohio, États-Unis
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Thx :) love dbz needed the manga forever lol
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Product exactly as described. New in wrap. Shipping was good. Packaging was alright. Definitely got thrown around in the mail with some scuff and minor rip, but this was not the fault of the seller/shipper. Would buy from again.
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