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Technologie CAO ― Simulation informatique des processus et dispositifs IC (The Springer

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Numéro de l'objet eBay :385707035028

Dernière mise à jour : juil. 13, 2023 16:05:20 HAEAfficher toutes les modificationsAfficher toutes les modifications

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Book Title: Technology CAD ― Computer Simulation of IC Processes and Devices

ISBN: 9780792393795

EAN: 9780792393795

Subject Area: Computers, Technology & Engineering

Publication Name: Technology Cad : Computer Simulation of Ic Processes and Devices

Item Length: 9.3 in

Publisher: Springer

Subject: Cad-Cam, Electronics / Circuits / Vlsi & Ulsi, Electronics / Circuits / General, Electrical

Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science Ser.

Publication Year: 1993

Type: Textbook

Format: Hardcover

Language: English

Author: Zhiping Yu, Robert W. Dutton

Item Width: 6.1 in

Item Weight: 56.8 Oz

Number of Pages: Xvii, 373 Pages

À propos de ce produit

Product Information

129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium .......... . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects ..... . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction ............. . 197 5.2 The MOS Capacitor ........ . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction ... 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis ... 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model ...

Product Identifiers

Publisher

Springer

ISBN-10

0792393791

ISBN-13

9780792393795

eBay Product ID (ePID)

1089388

Product Key Features

Author

Zhiping Yu, Robert W. Dutton

Publication Name

Technology Cad : Computer Simulation of Ic Processes and Devices

Format

Hardcover

Language

English

Subject

Cad-Cam, Electronics / Circuits / Vlsi & Ulsi, Electronics / Circuits / General, Electrical

Series

The Springer International Series in Engineering and Computer Science Ser.

Publication Year

1993

Type

Textbook

Subject Area

Computers, Technology & Engineering

Number of Pages

Xvii, 373 Pages

Dimensions

Item Length

9.3 in

Item Width

6.1 in

Item Weight

56.8 Oz

Additional Product Features

LCCN

93-020663

Intended Audience

Scholarly & Professional

Series Volume Number

243

Number of Volumes

1 Vol.

Lc Classification Number

Tk7867-7867.5

Table of Content

1 Technology-Oriented CAD.- 1.1 Introduction.- 1.2 Process and Device CAD.- 1.3 Process Simulation Techniques.- 1.4 Interfaces in Process and Device CAD.- 1.5 CMOS Technology.- 1.6 Summary.- 1.7 Exercises.- 1.8 References.- 2 Introduction to SUPREM.- 2.1 Introduction.- 2.2 Ion Implantation.- 2.3 Oxidation.- 2.4 Impurity Diffusion.- 2.5 Summary.- 2.6 Exercises.- 2.7 References.- 3 Device CAD.- 3.1 Introduction.- 3.2 Semiconductor Device Analysis.- 3.3 Field-Effect Structures.- 3.4 Bipolar Junction Structures.- 3.5 Summary.- 3.6 Exercises.- 3.7 References.- 4 PN Junctions.- 4.1 Introduction.- 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case.- 4.3 Non-Equilibrium.- 4.4 Carrier Transport and Conservation.- 4.5 The pn Junction -- Equilibrium Conditions.- 4.6 The pn Junction -- Non-equilibrium.- 4.7 SEDAN Analysis.- 4.8 Summary.- 4.9 Exercises.- 4.10 References.- 5 MOS Structures.- 5.1 Introduction.- 5.2 The MOS Capacitor.- 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics.- 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate.- 5.5 MOS Device Design by Simulation.- 5.6 Summary.- 5.7 Exer cises.- 5.8 References.- 6 Bipolar Transistors.- 6.1 Introduction.- 6.2 Lateral pnp Transistor Operation.- 6.3 Transport Current Analysis.- 6.4 Generalized Charge Storage Model.- 6.5 Transistor Equivalent Circuits.- 6.6 Second Order Effects.- 6.7 Transit Time and Cutoff Frequency.- 6.8 Application of Simulation Tools.- 6.9 Summary.- 6.10 Exercises.- 6.11 References.- 7 BiCMOS Technology.- 7.1 Introduction.- 7.2 Triple-Diffused BiCMOS.- 7.3 Buried-Epitaxial Layer BiCMOS.- 7.4 Summary.- 7.5 Exercises.- 7.6 References.- A Numerical Analyis.- B BiCMOS Technology Overview.- C Templates for PISCES Simulation.

1993

Illustrated

Yes

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